推动电源管理变革 大统计
在不影响系统性能 同时,延长电池寿命和存储时间。
增强电源和信号完整性,桥检车租赁快讯网资讯部获悉,以提高系统级保护和精度为了新大限度地提高系统性能和可靠性,监控、调节和处理电源链中信号 能力至关重要。高精密系统需要精确 低噪声基准电压,以及低噪声和低纹波 电源轨。TI采用专用 工艺元件、先进 电路和测试技术来提高精度并新大限度地减少失真。
通过减少辐射发射,降低系统成本并快速满足EMI质量。
通过实现更高 工作电压和可靠性以提升安全性。
隔离旨在出现危险高电压 情况下提供可靠 保护。电隔离可将两个电源域电气隔离,从而使电力或信号在不影响人身安全 情况下通过隔离栅传输,同时还可以防止接地电位差并提高抗噪性能。TI 隔离技术和产品组合在不影响性能 同时,超过了德国汽车工业协会(VDA)、加拿大质量协会(CSA)和美国保险商试验室(UL)等质量要求。
●采用了陶瓷封装和电路板应力管理等先进技术调节器件和电路板应力。
在更小 空间内实现更大 功率,从而以更低 系统成本增强系统功能。
在电池供电 系统中,为了在空载或轻负载条件下实现高效率,需要电源解决方案在保持超低供电电流 同时,对输出进行严格调节。借助TI 超低IQ技术和产品组合,您可在下 个设计中实现低功耗,并新大限度地延长电池运行时间。
我们矢志不渝地致力于突破电源限制,开发新 工艺、封装和电路设计技术,从而为您 应用提供性能出色 器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性,还是维持在高电压下 安全性,桥检车租赁快讯网新新消息报道,我们都致力于帮您解决电源管理方面 挑战。德州仪器(TI),与您携手推动电源进 步发展 合作伙伴。
拓扑和电路支持更小 无源组件?多级转换器拓扑?先进 功率级栅极驱动器支持更小磁性元件 多级拓扑。
电磁干扰(EMI)是电子系统中越来越重要 个关键因素,在汽车和工业应用等新应用中尤其如此。低EMI设计可为您显著缩短开发周期,同时还可减少电路板面积和解决方案成本。TI可提供多种功能和技术来降低所有相关频段 EMI。
通过集成,可新大限度地减小寄生效应并减少系统占用空间?MicroSiP D模块集成?具有低环路电感 GaN和驱动器多芯片模块(MCM)
随着人们对电源 要求越来越多,电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多 电路,才能实现产品 差异化,并提高效率和增强热性能。使用TI 先进工艺、封装和电路设计技术,现能以更小 外形尺寸实现更高 功率等级。
需要低EMI特性 部分产品类别,降压/升压和反相稳压器、隔离式偏置电源、多通道IC(PMIC)、降压稳压器、升压稳压器。
需要低IQ特性 部分产品类别,电池充电器I 降压/升压和反相稳压器、线性稳压器(LDO)、电源开关、串联电压基准、并联电压基准、降压稳压器、升压稳压器、监控器和复位IC。
低EMI
低噪音和高精度
低静态电流(IQ)
功率密度
隔离
S外形小巧●借助TI 专利电路技术,可实现支持应用 裸片和封装尺寸,且不会影响静态功耗。
传输电力●通过在单个封装中集成传输电力所需 高压隔离元件,桥检车租赁快讯网消息:,降低热负荷并简化EMI合规性。
低待机功耗●使用超低泄漏元件和新型控制拓扑,延长电池运行时间。
减少IC误差源●利用TI高度优化 低噪声互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺来减少工艺 非理想因素。●利用先进 电路和测试技术来降低工艺非理想因素 影响。
减少设计时间并降低复杂性●使用低电感封装、电容器集成和先进 栅极驱动器技术,从根本上减少源头产生 辐射发射。
减少过滤器尺寸和成本●利用TI先进 扩频技术,降低产生 EMI所带来 影响。
器件产热更少?业内先进 电源处理节点电压小于 零零V? 零零V氮化镓(GaN)器件可提供出色 开关性能比较效率提升对温升影响 热图像。
快速响应时间●通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能,以提高动态响应时间,同时保持超低 静态功耗。
散热型封装?HotRod?封装?支持散热垫 增强型HotRodQFN封装
系统噪声消减●技术 进步支持通过高电源抑制比(PSRR)低压降稳压器(LDO)和片上滤波实现更高 系统级抗干扰和抗噪性能。
功率密度,提高功率密度以在更小 空间内实现更大 功率,从而以更低 系统成本增强系统功能; 低IQ,在不影响系统性能 同时,降低静态电流以延长电池寿命和货架寿命; 低EMI,新大限度地减少干扰,以降低系统成本并快速满足EMI质量; 低噪声和高精度,增强功率和信号完整性,以提高系统级保护; 隔离,通过高压隔离栅传输信号和/或电力,以提高较高工作电压下 安全性和可靠性。
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传输信号●通过高质量 隔离技术、低延迟 资料统计传输和出色 共模瞬态抗扰度(CMTI),提高系统 稳健性和可靠性使用SiO 隔离电容传输信号。
GaN+栅极驱动器MCM可减小寄生效应,并提高功率密度。
HotRodTM封装不仅省去了接合线,还能保持出色 热性能。
MicroSiP封装支持 D集成。
不影响IQ 超小型封装。
与同类产品相比,TI产品具有超低 IQ和出色 瞬态响应。
使用SiO 隔离电容传输信号。
先进 EMI缓解技术可减小无源滤波器 尺寸。
功率密度 关键产品分类,电池充电器IC,降压-升压和反相稳压器,氮化镓(GaN)IC,隔离偏置电源,隔离栅极驱动器,LED驱动器,线性稳压器(LDO),多通道IC(PMIC),离线和隔离DC/DC控制器与转换器,电源开关,降压型稳压器,升压型稳压器,USBType-C和USBPowerDeliveryIC。
噪声与频率曲线图。
快速唤醒和低待机功耗。
支持更小磁性元件 多级拓扑。
比较效率提升对温升影响 热图像。
调节器件和电路板应力。
通过封装内 高频电容器集成来降低辐射噪声。
通过集成变压器高效传输电力并降低EMI。
需要低噪声和高精密特性 部分产品类别,电池监测器和平衡器、线性稳压器(LDO)、多通道IC(PMIC)、串联电压基准、并联电压基准、监控器和复位IC。
需要隔离特性 关键产品类别,数字隔离器、隔离式AD 隔离放大器、隔离 接口,隔离式偏置电源,隔离式栅极驱动器。
高PSRR可实现更好 滤波和更低 输出噪声。
电源管理 前沿统计
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